用新华三集团联席总裁兼首席技术官尤学军的话说，高端路由自研芯片将有助于新华三在中国市场竞争中保持份额的前两名，并有能力向市场领先地位进军。
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NAND Flash方面，美光2019年主流将向96层3D NAND转移，容量以量产512Gb为主，3月份已基于96层3D NAND推出了美光1300系列SSD和microSD卡产品。至于3D Xpoint技术，即可作为能运算的扩充DRAM，也可以做快速储存需求的NAND扩充替代，美光预计在2019会计年度进行送样，快在2020会计年度量产，将会专注数据中心存储应用。
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对此，新华三首席执行官于英涛的观点是，新华三将本着高技术、高标准的原则，在继续采用全球技术领先的商用芯片合作伙伴解决方案的同时，按需融入自主创新的解决方案配套芯片，形成优势互补，在为新华三带来更大的行业领先优势。
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虽然目前DRAM市场供应过剩，但美光认为台湾无尘室的扩建是必须进行的扩产计划。因为DRAM转移到新制程的节点时，就会需要更好的精密设备、更复杂的工艺技术，这需要投入更多的资金来新建产线和投入研发，以保证新技术的顺利过渡。
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